100G DWDM 优化OSNR的技术
四:结论
2012年国内100G 的研讨已从“Why 为什么”建设深入到“ How 怎么”建设100G上来。在既有码型和固定发射功率的下,有两种方法提升Rm点的系统OSNR门限。经过本振技术优化后的系统在不增加额外 线路开销的情况下,B2B OSNR已与复杂算法的SD-FEC性能接近。由于100G相对40G技术,基于偏振复用相干检测天生对DGD和色度色散不敏感,因此可将Q 裕量从40G的3-3.5db 下降到2-2.5db,优化后的 100G的系统ONSR门限完全与40G相同,甚至优于某些码型的40G系统。SD-FEC 是第三代FEC技术发展的方向,在牺牲有效带宽到20%冗余的情况下,可以提升OSNR预算1.3 db.由于SD-FEC本身的复杂对硬件 实时处理的要求很高,软判决和硬判决不是取代关系而是配合关系。目前,AT&T首次测试了针对128G 速率千万门电路的40nm的芯片成熟性,阿尔卡特朗讯也在2012年Q1发布了基于400G技术的全新处理芯 片。成熟套片技术的快速发展,必将大幅提升DWDM的网络传送容量以及网络OSNR性能。