1.3 计算机存储系统

1.3.3 主存储器

1半导体读写存储器简称rwm，习惯上称为ram，按工艺不同可分为：双极型ram和mos型ram。

2静态mos存储芯片由：存储体、读写电路、地址译码、控制电路（存储体、地址译码器、驱动器、i/o控制、片选控制、读/写控制）组成。

3存储器主要技术指标：存储容量、存取速度、可靠性。

4存储器的速度可用访问时间、存储周期和频宽来描述。

tm（存储周期）＞ta（读出时间），tm＞tw（写入时间）。

1.3.4 高速缓冲存储器

1访问高速缓冲存储器的时间一般为访问主存时间的1/4-1/10。

1.3.5 辅助存储器

1常用的辅助存储器包括：磁带、磁盘、光盘。

2磁表面存储器的存储原理：磁层由非矩形剩磁特性的导磁材料（氧化铁、镍钴合金）构成；磁层材料的剩磁要大（读出信息大），矫顽力hc要合适，才有足够的抗干扰能力和使用较小写电流，磁层厚度要薄，才能提高记录密度。

3磁头由高导磁率的软磁材料（如坡莫合金和具有高频特性的帖氧体）做铁心，在铁心上开有缝隙并绕有线圈。

4在磁表面存储器中一般都是磁头固定。

5磁盘存储器由磁记录介质、磁盘存储器、磁盘控制器3部分组成；磁盘控制器包括控制逻辑、时序电路、“并—串”转换和“串—并”转换电路；磁盘驱动器包括：读写电路、读写转换开关、读写磁头和磁头定位伺服系统。

6按读写类型，光盘可分为：之都型、一次性写入型和可重写型。

1.4 计算机应用领域

1计算机应用领域包括：（1） 科学计算；（2） 信息管理；（3） 计算机图形学与多媒体技术；（4） 语言与文字的处理；（5） 人工智能。